mark_mene
04-08-2007, 19:57
hallo zusammen, also ich will kein runden text um fließen nur einen lassen
das klappt bei mir auch mit dem befehl:
\piccaption{Prinzipieller Aufbau eines n-Kanal MOSFETs im Querschnitt} \label{N-Kanal-MOSFET}
\parpic[r]{\includegraphics[width=.5\textwidth]{images/N-Kanal-MOSFET.eps}}
In der nebenstehenden Abbildung~\ref{N-Kanal-MOSFET} sieht man den prinzipiellen Aufbau eines n-Kanal MOSFET. Die Anschlüße Drain und Source sind zwei n\tief{+} dotierte Gebiete. Der Gate Anschluß besteht aus einer Schichtfolge von SiO\tief{2} und einem Polysilizium, welche also eine Art Kapazität wirkt. Durch das anlegen einer Spannung zwischen Gate und Bulk,
auch ganz gut., nur da ich mein dokument auf englisch schreiben muss hab ich die vorgefertigten deutsche packages (\usepackage{ngerman} %Übersetzung von table und Abbildung usw. - neue deutsche Rechtschreibung) das für die Übersetzung von Inhaltsangabe und Tabelle und figure zuständig ist entfernt.
Kann mir jmd weiterhelfen???
evtl eine andere möglichkeit oder was ist falsch?
verwenden tu ich TeXnicCenter ;-)
mein hauptfile:
\documentclass[12pt,titlepage,a4paper]{report}
\usepackage{ngerman} %Übersetzung von table und Abbildung usw. - neue deutsche Rechtschreibung
\usepackage{a4}
\usepackage[isolatin]{inputenc} %Umlaute
\usepackage{graphicx}
\usepackage[german]{varioref}
\usepackage{moreverb}
\usepackage{mydiplstyle} %eigene Befehlsdefinitionen (aus Datei mydiplstyle.sty)
\usepackage{fancyhdr}
\usepackage{placeins} %floating Barrier
\usepackage{picins} %nebendem Bild schreiben
%\usepackage{mathaccent} %nebendem Bild schreiben
%\usepackage{capt-of} %Abbildungenummerierung abschalten
\usepackage{color}
%\definecolor{pink}{rgb}{1,0.5,0.5} % color values Red, Green, Blue
%zum tiefer stellen von Texten
\newcommand{\tief}[1]{\raisebox{-0.5ex}{\scriptsize{#1}}}
\newcommand{\hoch}[1]{\raisebox{0.5ex}{\scriptsize{#1}}}
%% Header-Layout
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% footer
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%redefine plain pagestyle - used for chapter pages.
\fancypagestyle{plain}{
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}
%increase line space
\renewcommand{\baselinestretch}{1.2}
%------ the real document begins here ------
\begin{document}
%------ layout for title page ------
\pagenumbering{roman}
%------ preface, table of contents, summary ------
\piccaption{Prinzipieller Aufbau eines n-Kanal MOSFETs im Querschnitt} \label{N-Kanal-MOSFET}
\parpic[r]{\includegraphics[width=.5\textwidth]{images/N-Kanal-MOSFET.eps}}
In der nebenstehenden Abbildung~\ref{N-Kanal-MOSFET} sieht man den prinzipiellen Aufbau eines n-Kanal MOSFET. Die Anschlüße Drain und Source sind zwei n\tief{+} dotierte Gebiete. Der Gate Anschluß besteht aus einer Schichtfolge von SiO\tief{2} und einem Polysilizium, welche also eine Art Kapazität wirkt. Durch das anlegen einer Spannung zwischen Gate und Bulk, entsteht eine elektrisches Feld. Durch dieses Feld werden beim n-Kanal enhancement transistor die Minoritätsladungsträger des Substrates (p-Silizium Elektronen) an die Grenzschicht des SiO\tief{2} und rekommbinieren mit den Majoritötsladungsträgern (p-Silizium Löcher). Durch diese Rekommbination der Ladungsträger verringert sich die Anzahl der Majoritätsladungsträgern im Gatebereich. Ab einer bestimmten Gatespannung (\textgreater U{\tief{th}) sind keine Ladungsträger für die Rekombination mehr zur Verfügung und somit entsteht durch die Überzahl der
Minoritätladungsträger bildet sich nahe am Grenzübergang zum SiO\tief{2} ein n-leitender Kanal. Diese Ansteuerung des MOSFETs geschiecht nahezu stromlos und nur durch die höhe des elektrischen Feldes lässt sich der leitenden Kanal steuern. Es muss lediglich der Ladestrom für die Gatekapazität geliefert werden, was Probleme bei schnellen einschalten bzw. ausschalten des MOSFETs sich durch die Verringerung der Effizienz zeigt.
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% %%%%%%%%%%%%%%%
%------ end of document ------
\end{document}
das klappt bei mir auch mit dem befehl:
\piccaption{Prinzipieller Aufbau eines n-Kanal MOSFETs im Querschnitt} \label{N-Kanal-MOSFET}
\parpic[r]{\includegraphics[width=.5\textwidth]{images/N-Kanal-MOSFET.eps}}
In der nebenstehenden Abbildung~\ref{N-Kanal-MOSFET} sieht man den prinzipiellen Aufbau eines n-Kanal MOSFET. Die Anschlüße Drain und Source sind zwei n\tief{+} dotierte Gebiete. Der Gate Anschluß besteht aus einer Schichtfolge von SiO\tief{2} und einem Polysilizium, welche also eine Art Kapazität wirkt. Durch das anlegen einer Spannung zwischen Gate und Bulk,
auch ganz gut., nur da ich mein dokument auf englisch schreiben muss hab ich die vorgefertigten deutsche packages (\usepackage{ngerman} %Übersetzung von table und Abbildung usw. - neue deutsche Rechtschreibung) das für die Übersetzung von Inhaltsangabe und Tabelle und figure zuständig ist entfernt.
Kann mir jmd weiterhelfen???
evtl eine andere möglichkeit oder was ist falsch?
verwenden tu ich TeXnicCenter ;-)
mein hauptfile:
\documentclass[12pt,titlepage,a4paper]{report}
\usepackage{ngerman} %Übersetzung von table und Abbildung usw. - neue deutsche Rechtschreibung
\usepackage{a4}
\usepackage[isolatin]{inputenc} %Umlaute
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\usepackage[german]{varioref}
\usepackage{moreverb}
\usepackage{mydiplstyle} %eigene Befehlsdefinitionen (aus Datei mydiplstyle.sty)
\usepackage{fancyhdr}
\usepackage{placeins} %floating Barrier
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%\definecolor{pink}{rgb}{1,0.5,0.5} % color values Red, Green, Blue
%zum tiefer stellen von Texten
\newcommand{\tief}[1]{\raisebox{-0.5ex}{\scriptsize{#1}}}
\newcommand{\hoch}[1]{\raisebox{0.5ex}{\scriptsize{#1}}}
%% Header-Layout
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%------ the real document begins here ------
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%------ preface, table of contents, summary ------
\piccaption{Prinzipieller Aufbau eines n-Kanal MOSFETs im Querschnitt} \label{N-Kanal-MOSFET}
\parpic[r]{\includegraphics[width=.5\textwidth]{images/N-Kanal-MOSFET.eps}}
In der nebenstehenden Abbildung~\ref{N-Kanal-MOSFET} sieht man den prinzipiellen Aufbau eines n-Kanal MOSFET. Die Anschlüße Drain und Source sind zwei n\tief{+} dotierte Gebiete. Der Gate Anschluß besteht aus einer Schichtfolge von SiO\tief{2} und einem Polysilizium, welche also eine Art Kapazität wirkt. Durch das anlegen einer Spannung zwischen Gate und Bulk, entsteht eine elektrisches Feld. Durch dieses Feld werden beim n-Kanal enhancement transistor die Minoritätsladungsträger des Substrates (p-Silizium Elektronen) an die Grenzschicht des SiO\tief{2} und rekommbinieren mit den Majoritötsladungsträgern (p-Silizium Löcher). Durch diese Rekommbination der Ladungsträger verringert sich die Anzahl der Majoritätsladungsträgern im Gatebereich. Ab einer bestimmten Gatespannung (\textgreater U{\tief{th}) sind keine Ladungsträger für die Rekombination mehr zur Verfügung und somit entsteht durch die Überzahl der
Minoritätladungsträger bildet sich nahe am Grenzübergang zum SiO\tief{2} ein n-leitender Kanal. Diese Ansteuerung des MOSFETs geschiecht nahezu stromlos und nur durch die höhe des elektrischen Feldes lässt sich der leitenden Kanal steuern. Es muss lediglich der Ladestrom für die Gatekapazität geliefert werden, was Probleme bei schnellen einschalten bzw. ausschalten des MOSFETs sich durch die Verringerung der Effizienz zeigt.
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